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中文标题： 集成电路布图设计保护条例修订10月施行：惩罚性赔偿最高5倍，光子量子芯片纳入保护

2026年7月23日，国务院总理李强签署国务院令第842号，公布修订后的《集成电路布图设计保护条例》，自2026年10月15日起施行。这是该条例自2001年4月以国务院令第300号公布以来首次全面修订，共6章54条，围绕保护范围、登记程序、专有权保护和促进运用四个方向作出调整。

保护范围扩容：光子、量子芯片首次纳入

本轮修订最受关注的变化是保护客体的扩展。条例第三条明确，对集成光子、量子等功能的集成电路的布图设计，可以依照条例予以保护。业内人士指出，这意味着随着硅光芯片、量子计算芯片逐步从实验室走向产业化，其核心布图设计将获得与成熟制程芯片同等的法律保护，为前沿半导体领域的自主研发成果筑牢权利基础。

在权利归属方面，条例延续"登记产生专有权"原则，布图设计专有权经国务院知识产权行政部门登记产生，未经登记不受保护。布图设计自在世界任何地方首次商业利用之日起2年内未提出登记申请的，不再予以登记。专有权保护期为10年，自登记申请之日或首次商业利用之日起计算（以较早日期为准）；无论是否登记或投入商业利用，布图设计自创作完成之日起15年后不再受保护。

侵权赔偿力度升级：故意侵权最高5倍赔偿

针对实践中维权难、赔偿低的问题，本轮修订加大了侵权赔偿力度。条例第四十六条规定，侵犯布图设计专有权的赔偿数额，按照权利人因被侵权所受到的实际损失或者侵权人因侵权所获得的利益确定；损失或获利难以确定的，参照该布图设计许可使用费的倍数合理确定。对故意侵犯布图设计专有权、情节严重的，可以在上述方法确定数额的1倍以上5倍以下确定赔偿数额，赔偿数额还包括权利人为制止侵权行为所支付的合理开支。

条例同时完善了善意侵权人的责任规则：获得含有受保护布图设计的集成电路或物品时，不知道也没有合理理由应当知道其中含有非法复制布图设计而投入商业利用的，不视为侵权；但收到明确通知后，可继续将现有存货或此前订货投入商业利用，同时应向权利人支付合理使用费。

程序与运用：转让登记生效、许可限期备案

在登记程序上，条例规制虚假申请，细化材料要求，完善驳回、撤销程序，并新增权利恢复程序——当事人因不可抗拒事由或正当理由延误期限导致权利丧失的，可在规定期限内请求恢复权利。在权利运用上，转让布图设计专有权应订立书面合同并向国务院知识产权行政部门登记，转让自登记之日起生效；许可他人使用应订立书面合同，并自合同生效之日起3个月内备案；以专有权出质的，应办理出质登记。

此外，条例第五十三条设置了对等反制条款：任何国家或地区在集成电路布图设计保护方面对中国采取歧视性的禁止、限制或其他类似措施的，中国可以根据实际情况采取相应措施。

企业合规提示

对于半导体设计企业，需关注三点：一是新产品布图设计应尽快完成登记，避免因"首次商业利用满2年"丧失登记资格；二是在合作研发、委托设计环节明确权利归属，书面约定共有权利行使规则；三是对外转让布图设计专有权涉及外国主体的，应依照有关法律、行政法规和国家有关规定办理手续。条例正式施行前，相关企业可对照新规梳理存量布图设计的登记状态与许可备案情况。

（来源：中国政府网、新华社）